品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L150SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R130C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:102W
阈值电压:4V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@4.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD15P10PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.1V@1.54mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@10.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):181psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8260L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:5245pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87331Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V€1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:518pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R155CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:77W
阈值电压:4.5V@320µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1283pF@400V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@6.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3D
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3025LDV-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V€1188pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N和P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2125}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ANX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7425TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7980pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:8.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L150SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA64EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA600N25NM3SXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:4V@89µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB16N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:29.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1027pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@7.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€25W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87333Q3DT
工作温度:125℃
功率:6W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:662pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:14.3mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1260pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1260pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB90R340C3ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y72-80E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:7.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:898pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: