采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R055CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4.5V@760µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2724pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R055CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4.5V@760µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2724pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460HPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3208pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460HPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3208pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460HPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3208pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R055CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4.5V@760µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2724pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：329W
阈值电压：4.4V
栅极电荷：70nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
导通电阻：52mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：329W
阈值电压：4.4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
导通电阻：52mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：329W
阈值电压：4.4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
导通电阻：52mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：329W
阈值电压：4.4V
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
导通电阻：52mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M75BFLLG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：5V
栅极电荷：57nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：75mΩ
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R055CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4.5V@760µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2724pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460HPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3208pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460HPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3208pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：27900，"23+"：73350，"MI+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460HPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3208pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460HPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3208pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
