采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：701，"22+"：3610，"23+"：2632}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86256
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W€10W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@75V
连续漏极电流：1.2A€3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1pF@75V
导通电阻：695mΩ@10V，1.2A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86256
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W€10W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@75V
连续漏极电流：1.2A€3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1pF@75V
导通电阻：695mΩ@10V，1.2A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：19995}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1436-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：874，"22+"：13717}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86256
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W€10W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@75V
连续漏极电流：1.2A€3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1pF@75V
导通电阻：695mΩ@10V，1.2A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123K-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@250mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86256
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W€10W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@75V
连续漏极电流：1.2A€3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1pF@75V
导通电阻：695mΩ@10V，1.2A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123K-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@250mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@50V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@160mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2501UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123K-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@250mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86256
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W€10W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@75V
连续漏极电流：1.2A€3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1pF@75V
导通电阻：695mΩ@10V，1.2A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
