采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：497}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80ZYD
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R310CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：90，"21+"：2500，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：90，"21+"：2500，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R310CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R310CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R310CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R310CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R310CFDXKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R310CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R310CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：90，"21+"：2500，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R310CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
功率：80W
漏源电压：600V
导通电阻：560mΩ@4A，10V
栅极电荷：22nC@10V
阈值电压：4.5V@400µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：3000}
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
功率：24W
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
阈值电压：4.5V@400µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
功率：80W
漏源电压：600V
导通电阻：560mΩ@4A，10V
栅极电荷：22nC@10V
阈值电压：4.5V@400µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
