采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.1V@1.54mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@10.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.1V@1.54mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@10.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R160MT12J
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.7V@5mA
栅极电荷：23nC@15V
包装方式：管件
输入电容：724pF@800V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：208mΩ@10A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2V@1.54mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@11.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2V@1.54mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@11.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R099C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP15P10PLHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2V@1.54mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@11.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.1V@1.54mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@10.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1090，"16+"：200，"19+"：621，"22+"：267}
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ65R095C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：34800，"MI+"：1666}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK625R2-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3470pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2414}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R099C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500，"18+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6210-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500，"18+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6210-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ65R095C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.1V@1.54mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@10.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R099C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R095C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.1V@1.54mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@10.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2V@1.54mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@11.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R099C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：500，"13+"：3350，"14+"：8904，"9999"：157}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP15P10PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.1V@1.54mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@10.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R099C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.1V@1.54mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@10.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
