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    连续漏极电流: 3.5A
    当前匹配商品:1900+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW5NK100Z 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW5NK100Z 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW5NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1154pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@1.75A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3135LVT-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3135LVT-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3135LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9620STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9620STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9620STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF 起订11个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF 起订11个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J351R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4141NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@24V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N03HZGTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N03HZGTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ035N03HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:7.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9620STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9620STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9620STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6337-TL-W 起订2671个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6337-TL-W 起订2671个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9000,"17+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6337-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP5NK100Z 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP5NK100Z 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP5NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1154pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@1.75A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS8K11TCR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS8K11TCR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS8K11TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3383-TL-H 起订792个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3383-TL-H 起订792个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":42441}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH3383-TL-H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:800mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:69mΩ@1.5A,2.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PTAG 起订1952个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PTAG 起订1952个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":56140}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3113PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1329pF@16V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订16个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订16个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10S2E 起订12个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K2P10S2E 起订12个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K2P10S2E

    阈值电压:2.5V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:170mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N06HZGTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N06HZGTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ035N06HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K361NU,LF 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K361NU,LF 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K361NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3419 起订35个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3419 起订35个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3419

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:4.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUL035N02TR 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUL035N02TR 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUL035N02TR

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:5.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110U-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9431A 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9431A 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9431A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1343-TL-H 起订2466个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1343-TL-H 起订2466个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":110000,"13+":795000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1343-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2220LFDB-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2220LFDB-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XP,215 起订19个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XP,215 起订19个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV48XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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