采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC634P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：320mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8nC@5V
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC634P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC634P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC634P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS3407MC
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：77mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2341-3/TR
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：61mΩ@4.5V，3.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC634P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.653nF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT700P08S
功率：2W
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC634P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.653nF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
