包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:230W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:880mΩ@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ126EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8095pF@25V
连续漏极电流:500A
类型:N沟道
导通电阻:0.94mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4790}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:230W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:880mΩ@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFT50N85XHV
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:5.5V@4mA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4480pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@500mA,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":58,"23+":2500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH120N20P
工作温度:-55℃~175℃
功率:714W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ120N20P
工作温度:-55℃~175℃
功率:714W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ200N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:550W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10697,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9415pF@25V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ126EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8095pF@25V
连续漏极电流:500A
类型:N沟道
导通电阻:0.94mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":981,"9999":637}
销售单位:个
规格型号(MPN):IST007N04NM6AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W€3.8W
阈值电压:3.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.9nF@20V
连续漏极电流:54A€440A
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:230W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:880mΩ@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4295}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT020N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:273W
阈值电压:3.8V@202µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@50V
连续漏极电流:31A€260A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:230W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:880mΩ@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN102N65X2
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10900pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@51A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:230W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:880mΩ@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":58,"23+":2500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":58,"23+":2500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:230W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:880mΩ@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: