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    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LSDQ-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LSDQ-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3021LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:767pF@10V

    连续漏极电流:8.5A€7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:21mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86360Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:13W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2060pF@12.5

    连续漏极电流:50A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF00DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF00DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISF00DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3ET

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:13.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR140DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR140DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8150pF@10V

    连续漏极电流:71.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.67mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKXBZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:285mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订67个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订67个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3Q-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3Q-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LK3Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:59.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002NXAKR 起订118个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002NXAKR 起订118个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002NXAKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:265mW€1.33W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:0.43nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:190mA€300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKW,115 起订57个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKW,115 起订57个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX1029X,115 起订4000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX1029X,115 起订4000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX1029X,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:330mA€170mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:7.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V€50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6020CAKSX 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6020CAKSX 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX6020CAKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V€36pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V€50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C85NT1G 起订156个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C85NT1G 起订156个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":181228,"18+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD4C85NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:15.4A€29.7A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C12NTAG 起订1191个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C12NTAG 起订1191个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS4C12NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3007LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2714pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6809_S1_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6809_S1_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6809_S1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:396pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:115mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6020CAKSX 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6020CAKSX 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX6020CAKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V€36pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V€50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKMBYL 起订10000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKMBYL 起订10000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKMBYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€3.1W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3407SSN-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3407SSN-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3407SSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002AKS,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002AKS,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002AKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:13.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LK4-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LK4-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3021LK4-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:751pF@10V

    连续漏极电流:9.4A€6.8A

    类型:N和P沟道,共漏

    导通电阻:21mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订9个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订9个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKVL 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKVL 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86360Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:13W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2060pF@12.5

    连续漏极电流:50A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKMB,315 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKMB,315 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKMB,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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