销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8150pF@10V
连续漏极电流:71.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8150pF@10V
连续漏极电流:71.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":217616}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4H05NTWG
工作温度:150℃
功率:2.66W€46.3W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@12V
连续漏极电流:22.4A€94A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16404Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@12.5V
连续漏极电流:21A€81A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":8}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4H02NFT1G
工作温度:150℃
功率:3.13W€83W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2652pF@12V
连续漏极电流:37A€193A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":33000,"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4H013NFT1G
工作温度:150℃
功率:2.7W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3923pF@12V
连续漏极电流:43A€269A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@12.5V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.6mΩ@14A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":33000,"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4H013NFT1G
工作温度:150℃
功率:2.7W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3923pF@12V
连续漏极电流:43A€269A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4H05NTWG
工作温度:150℃
功率:2.66W€46.3W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@12V
连续漏极电流:22.4A€94A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@15V
连续漏极电流:82A€335A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@15V
连续漏极电流:82A€335A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA24DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4H013NFT1G
工作温度:150℃
功率:2.7W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3923pF@12V
连续漏极电流:43A€269A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16404Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@12.5V
连续漏极电流:21A€81A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16404Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@12.5V
连续漏极电流:21A€81A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8150pF@10V
连续漏极电流:71.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@15V
连续漏极电流:82A€335A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: