品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":16000,"16+":20500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP100N04S2L03AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP100N06S2L05AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5660pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP260PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5200pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@28A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40010EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11155pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK66N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:1250W
阈值电压:5.5V@8mA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@500mA,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP40010EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11155pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210LPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2780pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP260PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5200pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@28A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2805PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5110pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@104A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40010EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17100pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF5210STRL
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2805PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5110pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@104A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4010TRL7PP
工作温度:-55℃~175℃
功率:380W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9830pF@50V
连续漏极电流:190A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@110A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP100N06S2L05AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5660pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":340}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP100N06S2L05AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5660pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":9000,"18+":18420}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI80N06S2L05AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP100N06S2L05AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5660pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP260PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5200pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@28A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1201R6BVFRG
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3660pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@4A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":12531}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP100N04S2L03AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: