采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：80 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：80 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6944，"16+"：30000，"17+"：1735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4806NT4G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：1.4W（Ta），68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142 pF @ 12 V
连续漏极电流：11.3A（Ta），79A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：80 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：2086 pF @ 30 V
连续漏极电流：32A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：2086 pF @ 30 V
连续漏极电流：32A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：39W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：2247 pF @ 10 V
连续漏极电流：60A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.65 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：15.2A€52.1A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：80 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.2W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：38 nC @ 10 V
输入电容：970 pF @ 20 V
连续漏极电流：7.2A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.8W（Ta），57W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：48 nC @ 10 V
输入电容：2058 pF @ 50 V
连续漏极电流：11.3A（Ta），39A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14.9 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：50 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：80 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：95 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：33W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：20 nC @ 10 V
输入电容：603 pF @ 25 V
连续漏极电流：23A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：31 毫欧 @ 5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.2W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：38 nC @ 10 V
输入电容：970 pF @ 20 V
连续漏极电流：7.2A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：83W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：108 nC @ 10 V
输入电容：4586 pF @ 30 V
连续漏极电流：52A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：18 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
