采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：39W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：2247 pF @ 10 V
连续漏极电流：60A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.65 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：15.2A€52.1A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.2W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：38 nC @ 10 V
输入电容：970 pF @ 20 V
连续漏极电流：7.2A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.8W（Ta），57W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：48 nC @ 10 V
输入电容：2058 pF @ 50 V
连续漏极电流：11.3A（Ta），39A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14.9 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.2W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：38 nC @ 10 V
输入电容：970 pF @ 20 V
连续漏极电流：7.2A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU13N06LTU-WS
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），28W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：6.4 nC @ 5 V
包装方式：管件
输入电容：350 pF @ 25 V
连续漏极电流：11A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：115 毫欧 @ 5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3960}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU13N06LTU-WS
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），28W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4 nC @ 5 V
包装方式：管件
输入电容：350 pF @ 25 V
连续漏极电流：11A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：115 毫欧 @ 5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.8W（Ta），57W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：48 nC @ 10 V
输入电容：2058 pF @ 50 V
连续漏极电流：11.3A（Ta），39A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14.9 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：225mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
输入电容：50 pF @ 25 V
连续漏极电流：115mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.5 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.8W（Ta），57W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：48 nC @ 10 V
输入电容：2058 pF @ 50 V
连续漏极电流：11.3A（Ta），39A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14.9 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.8W（Ta），57W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：48 nC @ 10 V
输入电容：2058 pF @ 50 V
连续漏极电流：11.3A（Ta），39A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14.9 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.2W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：38 nC @ 10 V
输入电容：970 pF @ 20 V
连续漏极电流：7.2A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3960}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU13N06LTU-WS
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），28W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4 nC @ 5 V
包装方式：管件
输入电容：350 pF @ 25 V
连续漏极电流：11A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：115 毫欧 @ 5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），43W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
输入电容：1185 pF @ 30 V
连续漏极电流：15.2A（Ta），52.1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.8 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.25W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：9.3 nC @ 10 V
输入电容：509 pF @ 15 V
连续漏极电流：2.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：75 毫欧 @ 2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.2W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：38 nC @ 10 V
输入电容：970 pF @ 20 V
连续漏极电流：7.2A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），43W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
输入电容：1185 pF @ 30 V
连续漏极电流：15.2A（Ta），52.1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.8 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），43W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
输入电容：1185 pF @ 30 V
连续漏极电流：15.2A（Ta），52.1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.8 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1926DL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP013-30QLJ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.7W（Ta），40W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：50.1 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650 pF @ 15 V
连续漏极电流：8.6A（Ta），42.5A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：13.3 毫欧 @ 8.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU20N06LTU
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），38W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：13 nC @ 5 V
包装方式：管件
输入电容：630 pF @ 25 V
连续漏极电流：17.2A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：60 毫欧 @ 8.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：22 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920 pF @ 20 V
连续漏极电流：14A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta），30W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
输入电容：1730 pF @ 15 V
连续漏极电流：9.8A（Ta），35A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：15.5 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：40W
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：10.3nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V
输入电容：1159pF @ 30V，930pF @ 30V
连续漏极电流：24A（Tc），18A（Tc）
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：34 毫欧 @ 5.4A，10V，68 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.25W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：9.3 nC @ 10 V
输入电容：509 pF @ 15 V
连续漏极电流：2.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：75 毫欧 @ 2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：112 nC @ 10 V
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
