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    阈值电压: 2.5V @ 250µA
    工作温度: -55°C~150°C(TJ)
    栅极电荷: 47 nC @ 10 V
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订数10个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订数10个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:125W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    输入电容:3130 pF @ 20 V

    连续漏极电流:141A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.3 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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