采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：2086 pF @ 30 V
连续漏极电流：32A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：2086 pF @ 30 V
连续漏极电流：32A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：15.2A€52.1A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：83W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：108 nC @ 10 V
输入电容：4586 pF @ 30 V
连续漏极电流：52A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：18 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU13N06LTU-WS
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），28W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：6.4 nC @ 5 V
包装方式：管件
输入电容：350 pF @ 25 V
连续漏极电流：11A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：115 毫欧 @ 5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3960}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU13N06LTU-WS
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），28W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4 nC @ 5 V
包装方式：管件
输入电容：350 pF @ 25 V
连续漏极电流：11A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：115 毫欧 @ 5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：83W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：108 nC @ 10 V
输入电容：4586 pF @ 30 V
连续漏极电流：52A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：18 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：83W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：108 nC @ 10 V
输入电容：4586 pF @ 30 V
连续漏极电流：52A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：18 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：2086 pF @ 30 V
连续漏极电流：32A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：225mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
输入电容：50 pF @ 25 V
连续漏极电流：115mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.5 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：2086 pF @ 30 V
连续漏极电流：32A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：100 nC @ 10 V
输入电容：3400 pF @ 25 V
连续漏极电流：36A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：25 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：100 nC @ 10 V
输入电容：3400 pF @ 25 V
连续漏极电流：36A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：25 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：100 nC @ 10 V
输入电容：3400 pF @ 25 V
连续漏极电流：36A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：25 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3960}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU13N06LTU-WS
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），28W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4 nC @ 5 V
包装方式：管件
输入电容：350 pF @ 25 V
连续漏极电流：11A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：115 毫欧 @ 5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），43W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
输入电容：1185 pF @ 30 V
连续漏极电流：15.2A（Ta），52.1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.8 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
