品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:40W
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:10.3nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V
输入电容:1159pF @ 30V,930pF @ 30V
连续漏极电流:24A(Tc),18A(Tc)
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:34 毫欧 @ 5.4A,10V,68 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
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工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:40W
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:10.3nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V
输入电容:1159pF @ 30V,930pF @ 30V
连续漏极电流:24A(Tc),18A(Tc)
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:34 毫欧 @ 5.4A,10V,68 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:60V
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工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:40W
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:10.3nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V
输入电容:1159pF @ 30V,930pF @ 30V
连续漏极电流:24A(Tc),18A(Tc)
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:34 毫欧 @ 5.4A,10V,68 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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