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    阈值电压: 2.5V @ 250µA
    连续漏极电流: 24A(Tc),18A(Tc)
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订数100个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订数100个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:40W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:10.3nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V

    输入电容:1159pF @ 30V,930pF @ 30V

    连续漏极电流:24A(Tc),18A(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:34 毫欧 @ 5.4A,10V,68 毫欧 @ 4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订数500个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订数500个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:40W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:10.3nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V

    输入电容:1159pF @ 30V,930pF @ 30V

    连续漏极电流:24A(Tc),18A(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:34 毫欧 @ 5.4A,10V,68 毫欧 @ 4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订数10个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订数10个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:40W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:10.3nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V

    输入电容:1159pF @ 30V,930pF @ 30V

    连续漏极电流:24A(Tc),18A(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:34 毫欧 @ 5.4A,10V,68 毫欧 @ 4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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