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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5807NT4G 起订数5000个
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5807NT4G 起订数5000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:33W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:20 nC @ 10 V

    输入电容:603 pF @ 25 V

    连续漏极电流:23A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:31 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    类型:P 通道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    功率:45W(Tc)

    连续漏极电流:30A(Tc)

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    ECCN:EAR99

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    类型:P 通道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    功率:45W(Tc)

    连续漏极电流:30A(Tc)

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    ECCN:EAR99

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    类型:P 通道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    功率:45W(Tc)

    连续漏极电流:30A(Tc)

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    ECCN:EAR99

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:22 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920 pF @ 20 V

    连续漏极电流:14A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订数10个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订数10个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:125W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    输入电容:3130 pF @ 20 V

    连续漏极电流:141A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.3 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM024NA04LCR RLG 起订数10个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM024NA04LCR RLG 起订数10个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:125W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:67 nC @ 10 V

    输入电容:4224 pF @ 20 V

    连续漏极电流:170A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:34W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:35nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF @ 25V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:8 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:34W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:35nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF @ 25V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:8 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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