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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：33W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：20 nC @ 10 V
输入电容：603 pF @ 25 V
连续漏极电流：23A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：31 毫欧 @ 5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：22 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920 pF @ 20 V
连续漏极电流：14A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：47 nC @ 10 V
输入电容：3130 pF @ 20 V
连续漏极电流：141A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.3 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：67 nC @ 10 V
输入电容：4224 pF @ 20 V
连续漏极电流：170A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
