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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L020SPTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327
功率：500mW
阈值电压：2V@11μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1427EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2002A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：733pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N80C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT2N300P3HV
工作温度：-55℃~155℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1890pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：21Ω@1A，10V
漏源电压：3000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6075SQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSL020P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2225-E
工作温度：150℃
功率：50W
包装方式：管件
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@1A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTL2N470
工作温度：-55℃~150℃
功率：220W
阈值电压：6V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6860pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@1A，10V
漏源电压：4700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL308PEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@11µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：2.63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2463T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN95R3K7P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@400V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@800mA，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR020P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6075S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5H020SPTL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@2A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR020N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9610GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4195PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF020N02TL
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60A
工作温度：-50℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
