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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.26Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：32000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：32000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP2N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：32000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD2N65
功率：37W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：32000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD2N65
功率：37W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
阈值电压：3V
连续漏极电流：2A
导通电阻：190mΩ
功率：36W
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
漏源电压：650V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD2N65
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：4Ω@10V
类型：1个N沟道
功率：37W
连续漏极电流：2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：32000，"MI+"：2000}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
阈值电压：3V
连续漏极电流：2A
导通电阻：190mΩ
功率：36W
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
漏源电压：650V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：32000，"MI+"：2000}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
阈值电压：3V
连续漏极电流：2A
导通电阻：190mΩ
功率：36W
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
漏源电压：650V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP2N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
