采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XM2N200
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：560mΩ@4.5V，1A
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：9nC@10V
功率：500mW
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
导通电阻：80mΩ@10V，2A
类型：1个P沟道
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：XM2N200
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：560mΩ@4.5V，1A
漏源电压：190V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：XM2N200
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：560mΩ@4.5V，1A
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XM2N200
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：560mΩ@4.5V，1A
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
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