采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC8002
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@32.5V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@500mA，5V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC8002
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@32.5V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@500mA，5V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC8002
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@32.5V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@500mA，5V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：EPC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC8002
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@32.5V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@500mA，5V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC8002
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@32.5V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@500mA，5V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"23+"：40000，"MI+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"23+"：40000，"MI+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
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输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
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输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC8002
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@32.5V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@500mA，5V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
