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销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7408
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
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导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
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规格型号(MPN)：AO7408
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功率：350mW
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栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
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类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@2A，4.5V
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
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功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
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输入电容：639pF@25V
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类型：P沟道
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输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：639pF@25V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：639pF@25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：JSM2301S
栅极电荷：5.4nC@4.5V
功率：350mW
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
阈值电压：1V@250μA
反向传输电容：55pF@10V
漏源电压：20V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
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功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
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类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
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功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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