采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN95R3K7P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@400V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@800mA，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2615(TE12L.F)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：230mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN95R3K7P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@400V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@800mA，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU95R3K7P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：196pF@400V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@800mA，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN95R3K7P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@400V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@800mA，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU95R3K7P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：196pF@400V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@800mA，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1500，"19+"：35364，"20+"：16225}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU95R3K7P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：196pF@400V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@800mA，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN95R3K7P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@400V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@800mA，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN95R3K7P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@400V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@800mA，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K407TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K407TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1500，"19+"：35364，"20+"：16225}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU95R3K7P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：196pF@400V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@800mA，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN95R3K7P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@400V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@800mA，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
