品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3H137TU,LF
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:119pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@1A,10V
漏源电压:34V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
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输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
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漏源电压:38V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:150℃
功率:1W
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行业应用:工业,汽车
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功率:1W
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功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3H137TU,LF
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:119pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@1A,10V
漏源电压:34V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3H137TU,LF
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.7V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:119pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@1A,10V
漏源电压:34V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3H137TU,LF
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:119pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@1A,10V
漏源电压:34V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3H137TU,LF
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:150℃
阈值电压:1.7V@1mA
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:34V
导通电阻:240mΩ@1A,10V
输入电容:119pF@10V
栅极电荷:3nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
输入电容:120pF@10V
漏源电压:38V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
阈值电压:1.7V@1mA
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
导通电阻:150mΩ@2A,10V
功率:1W
栅极电荷:3nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3H137TU,LF
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.7V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:119pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@1A,10V
漏源电压:34V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3H137TU,LF
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.7V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:119pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@1A,10V
漏源电压:34V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
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连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
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阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
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