品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AD2N60S
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AD2N60S
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AD2N60S
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AD2N60S
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AD2N60S
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:4.4Ω@10V,1A
类型:1个N沟道
功率:34W
漏源电压:600V
连续漏极电流:2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
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品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
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功率:34W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
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品牌:MINOS
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):MDT2N60
类型:1个N沟道
功率:34W
输入电容:300pF@25V
栅极电荷:5.7nC@10V
反向传输电容:2pF@25V
连续漏极电流:2A
阈值电压:4V@250μA
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漏源电压:600V
导通电阻:4Ω@10V,1A
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品牌:MINOS
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):MDT2N60
类型:1个N沟道
功率:34W
输入电容:300pF@25V
栅极电荷:5.7nC@10V
反向传输电容:2pF@25V
连续漏极电流:2A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
导通电阻:4Ω@10V,1A
包装清单:商品主体 * 1
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