品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW36NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP450PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@8.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP15N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3015pF@25V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75NF20
工作温度:-50℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48RSPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@43A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":87,"20+":890}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@43A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB16N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:29.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1027pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@7.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3691,"22+":13334,"23+":25985}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N10S405AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:3.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6540pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW33N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW13N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP33N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":14000,"18+":14000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N06S2L09AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:2V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2620pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@52A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3015pF@25V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
漏源导通电阻:95mΩ
类型:N通道
输入电容:630pF@100V
功率:190W
栅源击穿电压:650V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N10S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:3.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6540pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF50PBF
功率:190W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF70
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:98A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@40A,10V
漏源电压:68V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP33N60M6
功率:190W
连续漏极电流:25A
导通电阻:125mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP048PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@44A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2090pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: