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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO7408 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO7408 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO7408

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV160UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335mW€2.17W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV160UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335mW€2.17W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV160UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335mW€2.17W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV160UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335mW€2.17W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订15000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订15000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2801-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2801-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":533980}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2801-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LP1488WT1G 起订43个装
    LRC Mosfet场效应管 LP1488WT1G 起订43个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LP1488WT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:30pF@10V

    导通电阻:90mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LP1488WT1G 起订55个装
    LRC Mosfet场效应管 LP1488WT1G 起订55个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LP1488WT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:30pF@10V

    导通电阻:90mΩ@4.5V,1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1420EEH-T1-GE3 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1420EEH-T1-GE3 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1420EEH-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:215pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2801-TL-H 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2801-TL-H 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2801-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 2302 起订469个装
    MOT Mosfet场效应管 2302 起订469个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4nC@4.5V

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:80pF@10V

    导通电阻:55mΩ@4.5V,3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV160UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335mW€2.17W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订6个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订6个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV160UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335mW€2.17W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4N02FT1 起订1527个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4N02FT1 起订1527个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4N02FT1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:910mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订38个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订38个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV160UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335mW€2.17W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2801-TL-H 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2801-TL-H 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":533980}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2801-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1305DL-T1-E3 起订284个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1305DL-T1-E3 起订284个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1131

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1305DL-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:450mV@250µA

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订6个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订6个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV160UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335mW€2.17W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV160UP,215 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV160UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335mW€2.17W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4N02FT1G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4N02FT1G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":903,"06+":222917,"08+":7649,"09+":6000,"9999":750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4N02FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:910mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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