品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":25772}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€43W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:26A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@5.6A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":5486,"12+":162000,"16+":147000,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@15V
连续漏极电流:14A€35A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8327L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@20V
连续漏极电流:12A€14A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y7R0-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1630pF@25V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2830}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR4615TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:144W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@50V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@21A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8327L-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@20V
连续漏极电流:12A€14A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4615PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:144W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@21A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF530STRL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€43W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:26A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCPF07N65-BP
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8878
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:9.6A€16.5A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8327L-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@20V
连续漏极电流:12A€14A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@15V
连续漏极电流:14A€35A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN017-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:103W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1573pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€30.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:11A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN017-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:103W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1573pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN018-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:89W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60Z
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€30.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:11A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1079X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:1.44A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: