采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：16000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：141000，"23+"：47500，"MI+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17.9W€3.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A€10.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：141000，"23+"：47500，"MI+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17.9W€3.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A€10.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
