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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
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功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
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输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：26nC@10V
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输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
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功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
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功率：66W
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栅极电荷：26nC@10V
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输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
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功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
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栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
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功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
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输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
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栅极电荷：26nC@10V
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输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
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功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
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栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
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功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
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栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
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功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
输入电容：2300pF@15V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@200µA
工作温度：175℃
栅极电荷：26nC@10V
功率：630mW€75W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：175℃
栅极电荷：26nC@10V
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
功率：66W
连续漏极电流：46A
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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