品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R125G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:4V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@6.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT100N12D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:3.05nF@60V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@60V
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:93nC@10V
输入电容:5.95nF@25V
连续漏极电流:95A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP27P06
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8005ANJFRGTL
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.1Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3672-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:7.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7480pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6050JNZC17
功率:120W
阈值电压:7V@5mA
栅极电荷:120nC@15V
输入电容:4.5nF@100V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:83mΩ@25A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2908TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8005ANJFRGTL
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.1Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2908TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7480pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80P06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5450pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:8.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N60
功率:120W
阈值电压:4V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7480pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2908TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2908TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BTS247ZE3043AKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6050JNZC17
功率:120W
阈值电压:7V@5mA
栅极电荷:120nC@15V
输入电容:4.5nF@100V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:83mΩ@25A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENZC17
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80P06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5450pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:8.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENZC17
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R125G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:4V@320µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@6.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AMPLEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":76}
销售单位:个
规格型号(MPN):BLC9G10XS-120AY
功率:120W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: