品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN230ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:625mW€5.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD482
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3604S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2922
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€17W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.5A€7A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN120ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:670mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT560ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:112pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:715mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D125-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.7A€7.4A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN20ENAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:652mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:582pF@20V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D210-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:2.1A€5.7A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV37ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV37ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF2910L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€27W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB215ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€15.6W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@40V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV37ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV55ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:478mW€8.36W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN230ENEX
工作温度:150℃
功率:475mW€3.9W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6180SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV88ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2544
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.2W€75W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
连续漏极电流:6.5A€23A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV280ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":192000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D81-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€18.8W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:504pF@40V
连续漏极电流:3.2A€9.8A
类型:N沟道
导通电阻:81mΩ@3.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV164ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:640mW€5.8W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:218mΩ@1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6180SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D385-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@50V
连续漏极电流:1.4A€3.7A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.5,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV37ENER
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: