采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：201W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：201W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2628pF@100V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP150PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SMC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：S2M0080120D
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1324pF@1000V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2.2V@13µA
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@30V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2628pF@100V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2.2V@13µA
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@30V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LFVWQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.17W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：939pF@30V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2628pF@100V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2628pF@100V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：201W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SMC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：S2M0080120D
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1324pF@1000V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@30V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP150PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R75MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：207W
阈值电压：2.69V@7.5mA
栅极电荷：54nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1560pF@800V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R75MT12D
工作温度：-55℃~175℃
功率：207W
阈值电压：2.69V@7.5mA
栅极电荷：54nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1560pF@800V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：201W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
