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    功率: 205W
    当前匹配商品:90+
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    ST Mosfet场效应管 STP130N8F7 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP130N8F7 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP130N8F7

    功率:205W

    包装方式:管件

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订50个装
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订50个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R4F04PB,LXGQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R4F04PB,LXGQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ

    功率:205W

    阈值电压:3V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.5nF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@80A,6V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R5R04PB,LXGQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R5R04PB,LXGQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R5R04PB,LXGQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R5R04PB,LXGQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP9N90C 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP9N90C 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP9N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@4A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60F10N1L,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3.5V@500µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4320pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.11mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP22N60N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP22N60N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP22N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@100V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R4F04PB,LXGQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R4F04PB,LXGQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ

    功率:205W

    阈值电压:3V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.5nF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@80A,6V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R4F04PB,LXGQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R4F04PB,LXGQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ

    功率:205W

    阈值电压:3V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.5nF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@80A,6V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R5R04PB,LXGQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R5R04PB,LXGQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP9N90C 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP9N90C 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP9N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@4A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH22N60N 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH22N60N 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH22N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@100V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH22N60N 起订94个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH22N60N 起订94个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH22N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@100V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA22N60N 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA22N60N 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":365}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA22N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@100V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R4F04PB,LXGQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R4F04PB,LXGQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ

    功率:205W

    阈值电压:3V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.5nF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@80A,6V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP22N60N 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP22N60N 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP22N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@100V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP9N90C 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP9N90C 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP9N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@4A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R4F04PB,LXGQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R4F04PB,LXGQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ

    功率:205W

    阈值电压:3V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.5nF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@80A,6V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP22N60N-F102 起订168个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP22N60N-F102 起订168个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP22N60N-F102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@100V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R5R04PB,LXGQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R5R04PB,LXGQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订2000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订2000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60F10N1L,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3.5V@500µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4320pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.11mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP9N90C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP9N90C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP9N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@4A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R5R04PB,LXGQ 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R5R04PB,LXGQ 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH22N60N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH22N60N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":609,"22+":831}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH22N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@100V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP9N90C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP9N90C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP9N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@4A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R4F04PB,LXGQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1R4F04PB,LXGQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ

    功率:205W

    阈值电压:3V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.5nF@10V

    连续漏极电流:160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@80A,6V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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