品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K347R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:86pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@1A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K347R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:86pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@1A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4425
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@14A,20V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K347R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:86pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@1A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4425
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@14A,20V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4425
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@14A,20V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4425
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@14A,20V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4425
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@14A,20V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K347R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:86pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@1A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K347R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:86pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@1A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4425
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@14A,20V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K347R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:86pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@1A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K347R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:86pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@1A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K347R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:86pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@1A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4425
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@14A,20V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4425
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@14A,20V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4425
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@14A,20V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4425
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@14A,20V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4425
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@14A,20V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4425
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@14A,20V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K337R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4425
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@14A,20V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K347R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:86pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@1A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存: