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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E050ATTCL
工作温度：150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K13-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
输入电容：1.16nF@25V
连续漏极电流：42A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M15-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1262pF@25V
连续漏极电流：42.9A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M15-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1262pF@25V
连续漏极电流：42.9A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M15-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1262pF@25V
连续漏极电流：42.9A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@100V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@2.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@100V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@2.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M15-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1262pF@25V
连续漏极电流：42.9A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E050ATTCL
工作温度：150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E050ATTCL
工作温度：150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@100V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@2.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M15-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1262pF@25V
连续漏极电流：42.9A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@30V
连续漏极电流：3.3A€7.8A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E050ATTCL
工作温度：150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M15-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1262pF@25V
连续漏极电流：42.9A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@30V
连续漏极电流：3.3A€7.8A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M15-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1262pF@25V
连续漏极电流：42.9A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19.4nC@10V
输入电容：1.03nF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@10V，4.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
