采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP025N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：226nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14885pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ182EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：395W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：96nC@10V
输入电容：5.392nF@25V
连续漏极电流：210A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7J1R4-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8155pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ182EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：395W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：96nC@10V
输入电容：5.392nF@25V
连续漏极电流：210A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP025N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：226nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14885pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ182EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：395W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：96nC@10V
输入电容：5.392nF@25V
连续漏极电流：210A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7J1R4-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8155pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ182EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：395W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：96nC@10V
输入电容：5.392nF@25V
连续漏极电流：210A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP025N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：226nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14885pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP025N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：226nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14885pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7J1R4-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8155pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：129nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5220pF@100V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7J1R4-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8155pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
