品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKMB,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7008-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBKVL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKMB,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBK,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKMB,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKM,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW€2.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-13-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS159NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@26µA
栅极电荷:1.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@160mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN1206L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2222LL-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS159N H6327
功率:360mW
阈值电压:2.4V@26μA
连续漏极电流:230mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@10V,160mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS250P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存: