采购热线 400-661-9010
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：230mA
类型：1个P沟道
导通电阻：14Ω@10V，200mA
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@26μA
栅极电荷：1.5nC@10V
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@26μA
栅极电荷：1.5nC@10V
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@26μA
栅极电荷：1.5nC@10V
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002W H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：230mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.3Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002W H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：230mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.3Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.8V@1mA
栅极电荷：3.65nC@10V
输入电容：72pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5Ω@10V，500mA
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002W H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：230mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.3Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138N H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：230mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.2Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138N H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：230mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.2Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002W H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：230mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.3Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
阈值电压：1.8V@26μA
输入电容：45pF@25V
导通电阻：5Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
栅极电荷：1.5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：720pC@4.5V
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4.1Ω@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：720pC@4.5V
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4.1Ω@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.8V@1mA
栅极电荷：3.65nC@10V
输入电容：72pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5Ω@10V，500mA
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138N H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：230mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.2Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138N H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：230mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.2Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：18000psc
规格型号(MPN)：BSS138N H6327
包装方式：Reel
功率：360mW
阈值电压：1V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：230mA
导通电阻：2.2Ω
栅极电荷：1nC
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
