首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    连续漏极电流
    包装方式
    行业应用
    反向传输电容
    连续漏极电流: 2.6A
    当前匹配商品:1300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7956DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7956DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:105mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J213FE(TE85L,F 起订8个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J213FE(TE85L,F 起订8个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J213FE(TE85L,F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:103mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302DDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302DDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K4CEAUMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K4CEAUMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R3K4CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:29W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R3K0CEATMA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R3K0CEATMA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN50R3K0CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@30µA

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K4CEAUMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K4CEAUMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R3K4CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:29W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18GTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18GTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A18GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订39个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订39个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6809_S1_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6809_S1_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6809_S1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:396pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:115mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-E3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-E3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86501LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:116mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7956DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7956DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:105mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R3K4CEATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R3K4CEATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R3K4CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R3K0CEATMA1 起订1074个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R3K0CEATMA1 起订1074个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":696,"23+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN50R3K0CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP7A17GQTA 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP7A17GQTA 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP7A17GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@40V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订35个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订35个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ661PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4111PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86501LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:116mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2246TRPBF 起订29个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2246TRPBF 起订29个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2246TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@16V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2302CDS-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2302CDS-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si2302CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO615NGXUMA1 起订774个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO615NGXUMA1 起订774个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":24050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@20µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2308 起订33个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2308 起订33个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2308

    功率:1W

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,2.6A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧