采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
输入电容：492pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
连续漏极电流：2.6A
漏源电压：60V
栅极电荷：14.3nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
阈值电压：4V@1mA
功率：1W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
