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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J213FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302DDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@16V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2225LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3954，"11+"：2950，"12+"：119518，"13+"：750000，"18+"：3000，"19+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1601
功率：900mW
阈值电压：700mV
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2225L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@16V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2225L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2302CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@16V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@16V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
