品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1601
功率:900mW
阈值电压:700mV
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1601
功率:900mW
阈值电压:700mV
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.1V@10μA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
输入电容:220pF@16V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:135mΩ@4.5V,2.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.1V@10μA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
输入电容:220pF@16V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:135mΩ@4.5V,2.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:7nC@4.5V
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
功率:610mW€10W
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
功率:610mW€10W
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: