品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN015-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@40V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-60MSX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1368pF@30V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10J80E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@50V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":957,"15+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK754R7-60E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6230pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y7R8-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:63.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5347pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7227-100B,118
工作温度:-55℃~185℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2789pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":19798}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP299L6327HUSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":18845}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7277-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5067pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6R025BHTB1
工作温度:150℃
功率:2W€59W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@75V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN015-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@40V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":942}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP298H6327XUSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7K8R7-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1439pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":973}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E2R7-30B,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6212pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:89W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1685pF@30V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":887,"20+":1156,"MI+":599}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2782pF@12V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1000,"21+":1600,"9999":711}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R0-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1262pF@12V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK755R4-100E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11810pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1000,"22+":10900}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100PS,127
功率:269W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6686pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7214-75B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2612pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6773pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: