品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK56A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@60V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@28A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK56E12N1,S1X
工作温度:150℃
功率:168W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@60V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@28A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":45000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK56A12N1,S4X
功率:45W
输入电容:4200pF@60V
工作温度:150℃
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
漏源电压:120V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:69nC@10V
导通电阻:7.5mΩ@28A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@15A,10V
功率:62W
漏源电压:40V
连续漏极电流:56A
输入电容:1231pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:19.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@15A,10V
功率:62W
漏源电压:40V
连续漏极电流:56A
输入电容:1231pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:19.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK56E12N1,S1X
工作温度:150℃
功率:168W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@60V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@28A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":45000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK56E12N1,S1X
工作温度:150℃
功率:168W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@60V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@28A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK56E12N1,S1X
工作温度:150℃
功率:168W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@60V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@28A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK56E12N1,S1X
工作温度:150℃
功率:168W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@60V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@28A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK56A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@60V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@28A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存: