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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10J80E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW€170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：136A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW€170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：136A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.43Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3564(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(STA4，Q，M)
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，3A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：840mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1500CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@75V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15.4mΩ@19A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，M)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：540mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW€170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：136A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW€170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：136A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW€170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：136A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1500CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@75V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15.4mΩ@19A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
