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    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ11-NR4941

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@1mA

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:148A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10J80E,S1E

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R7-60E,127 起订196个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R7-60E,127 起订196个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":957,"15+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK754R7-60E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6230pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6076ENZ1C9 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6076ENZ1C9 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6076ENZ1C9

    工作温度:150℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6500pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@44.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK7E2R7-30B,127 起订241个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK7E2R7-30B,127 起订241个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":973}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E2R7-30B,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6212pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN012-80PS,127 起订407个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN012-80PS,127 起订407个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":887,"20+":1156,"MI+":599}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN012-80PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2782pF@12V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40PS,127 起订499个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40PS,127 起订499个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1000,"21+":1600,"9999":711}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R0-40PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:86W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1262pF@12V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK755R4-100E,127 起订187个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK755R4-100E,127 起订187个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK755R4-100E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:349W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11810pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-100PS,127 起订243个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-100PS,127 起订243个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1000,"22+":10900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-100PS,127

    功率:269W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6686pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENZ4C13 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENZ4C13 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030ENZ4C13

    工作温度:150℃

    功率:305W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT6025BVRG 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT6025BVRG 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT6025BVRG

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:275nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5160pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN32P60P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN32P60P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTN32P60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:196nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11100pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80PS,127 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80PS,127 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-80PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:338W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9961pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHP27NQ11T,127 起订596个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHP27NQ11T,127 起订596个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":2000,"18+":2000,"22+":2300,"9999":546}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHP27NQ11T,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1240pF@25V

    连续漏极电流:27.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@14A,10V

    漏源电压:110V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E1R8-40E,127 起订292个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E1R8-40E,127 起订292个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":188,"18+":9038,"19+":2000,"20+":19000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E1R8-40E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:349W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11340pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E8R3-40E,127 起订825个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E8R3-40E,127 起订825个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":5933,"19+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E8R3-40E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:96W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1730pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-80PS,127 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-80PS,127 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-80PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:103W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1573pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN90P20P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN90P20P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTN90P20P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-40PS,127 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-40PS,127 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:211W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4491pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-40PS,127 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-40PS,127 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R5-40PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:42.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2683pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E5R2-100E,127 起订300个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E5R2-100E,127 起订300个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":500,"18+":3300,"9999":301}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E5R2-100E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:349W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11810pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTX90P20P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTX90P20P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTX90P20P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@22A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK758R3-40E,127 起订487个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK758R3-40E,127 起订487个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":450,"21+":5}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK758R3-40E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:96W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1730pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Littelfuse Mosfet场效应管 LSIC1MO170E0750 起订1个装
    Littelfuse Mosfet场效应管 LSIC1MO170E0750 起订1个装

    品牌:Littelfuse

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LSIC1MO170E0750

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:13nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@1000V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R3-40C,127 起订270个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R3-40C,127 起订270个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":1183}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK752R3-40C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:175nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11323pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3564(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3564(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PSMN3R9-60XSQ 起订472个装
    NXP Mosfet场效应管 PSMN3R9-60XSQ 起订472个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":319}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R9-60XSQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5494pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R9-60PSQ 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R9-60PSQ 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R9-60PSQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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