采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3880}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3880}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
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连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
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连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
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连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
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连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
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库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
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类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
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库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
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连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
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输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZC17
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3880}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3880}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
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连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
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连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZC17
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
