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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R4-30，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4951pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R4-30，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4951pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R4-30，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4951pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7200}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：BUK763R4-30，118
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：75nC@10V
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@1mA
输入电容：4951pF@25V
ECCN：EAR99
功率：255W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
输入电容：8800pF@50V
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
工作温度：150℃
类型：N沟道
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：100A
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
功率：255W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
输入电容：8100pF@60V
工作温度：150℃
栅极电荷：130nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：120V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
功率：255W
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
连续漏极电流：72A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9000pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
